Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 800V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
Objectid | 101735269 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 60 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 30 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2 V |
最大维持电流 | 80 mA |
通态非重复峰值电流 | 150 A |
最大通态电压 | 1.8 V |
最大通态电流 | 13000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 800 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
T13N800COB | T13N100COB | T13N500COB | T13N600COB | T13N900COB | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 800V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 100V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 500V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 600V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 900V V(DRM), |
Objectid | 101735269 | 101735191 | 101735242 | 101735251 | 101735278 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
标称电路换相断开时间 | 60 µs | 60 µs | 60 µs | 60 µs | 60 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 50 V/us | 50 V/us | 50 V/us | 50 V/us | 50 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 30 mA | 30 mA | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
最大维持电流 | 80 mA | 80 mA | 80 mA | 80 mA | 80 mA |
通态非重复峰值电流 | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A | 150 A |
最大通态电压 | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
最大通态电流 | 13000 A | 13000 A | 13000 A | 13000 A | 13000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
断态重复峰值电压 | 800 V | 100 V | 500 V | 600 V | 900 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
最大漏电流 | - | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
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