电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

T13N800COB

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 800V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小296KB,共3页
制造商Telefunken Semiconductor GmbH & Co Kg
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

T13N800COB概述

Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 800V V(DRM),

T13N800COB规格参数

参数名称属性值
Objectid101735269
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间60 µs
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流30 mA
最大直流栅极触发电压2 V
最大维持电流80 mA
通态非重复峰值电流150 A
最大通态电压1.8 V
最大通态电流13000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

T13N800COB相似产品对比

T13N800COB T13N100COB T13N500COB T13N600COB T13N900COB
描述 Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 800V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 100V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 500V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 600V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 900V V(DRM),
Objectid 101735269 101735191 101735242 101735251 101735278
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 60 µs 60 µs 60 µs 60 µs 60 µs
关态电压最小值的临界上升速率 50 V/us 50 V/us 50 V/us 50 V/us 50 V/us
最大直流栅极触发电流 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
最大直流栅极触发电压 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大维持电流 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA
通态非重复峰值电流 150 A 150 A 150 A 150 A 150 A
最大通态电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
最大通态电流 13000 A 13000 A 13000 A 13000 A 13000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 800 V 100 V 500 V 600 V 900 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR
最大漏电流 - 3 mA 3 mA 3 mA 3 mA

推荐资源

热门文章更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 540  678  812  924  1473 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved