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T13N100COB

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 100V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小296KB,共3页
制造商Telefunken Semiconductor GmbH & Co Kg
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T13N100COB概述

Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 100V V(DRM),

T13N100COB规格参数

参数名称属性值
Objectid101735191
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间60 µs
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流30 mA
最大直流栅极触发电压2 V
最大维持电流80 mA
最大漏电流3 mA
通态非重复峰值电流150 A
最大通态电压1.8 V
最大通态电流13000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压100 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

T13N100COB相似产品对比

T13N100COB T13N500COB T13N600COB T13N800COB T13N900COB
描述 Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 100V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 500V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 600V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 800V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 900V V(DRM),
Objectid 101735191 101735242 101735251 101735269 101735278
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 60 µs 60 µs 60 µs 60 µs 60 µs
关态电压最小值的临界上升速率 50 V/us 50 V/us 50 V/us 50 V/us 50 V/us
最大直流栅极触发电流 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
最大直流栅极触发电压 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大维持电流 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA 80 mA
通态非重复峰值电流 150 A 150 A 150 A 150 A 150 A
最大通态电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
最大通态电流 13000 A 13000 A 13000 A 13000 A 13000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 100 V 500 V 600 V 800 V 900 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR
最大漏电流 3 mA 3 mA 3 mA - 3 mA

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