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MURF20005R

产品描述Silicon Super Fast Recovery Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小330KB,共3页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MURF20005R概述

Silicon Super Fast Recovery Diode

MURF20005R规格参数

参数名称属性值
厂商名称GeneSiC
包装说明R-PUFM-X2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-244
JESD-30 代码R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流2000 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流100 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

MURF20005R相似产品对比

MURF20005R MURF20010R MURF20010
描述 Silicon Super Fast Recovery Diode Silicon Super Fast Recovery Diode Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 100V V(RRM), Silicon, TO-244,
厂商名称 GeneSiC GeneSiC -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY -
外壳连接 ANODE ANODE -
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V -
JEDEC-95代码 TO-244 TO-244 -
JESD-30 代码 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2 -
最大非重复峰值正向电流 2000 A 2000 A -
元件数量 2 2 -
相数 1 1 -
端子数量 2 2 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -
最大输出电流 100 A 100 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
最大重复峰值反向电压 50 V 100 V -
最大反向电流 25 µA 25 µA -
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.075 µs -
表面贴装 NO NO -
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
端子位置 UPPER UPPER -
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