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MURF20010R: 产品描述Silicon Super Fast Recovery Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小330KB，共3页; 制造商GeneSiC; 官网地址http://www.genesicsemi.com/

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Silicon Super Fast Recovery Diode

	MURF20010R	MURF20005R	MURF20010
描述	Silicon Super Fast Recovery Diode	Silicon Super Fast Recovery Diode	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 100V V(RRM), Silicon, TO-244,
厂商名称	GeneSiC	GeneSiC	-
Reach Compliance Code	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
应用	SUPER FAST RECOVERY	SUPER FAST RECOVERY	-
外壳连接	ANODE	ANODE	-
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	-
JEDEC-95代码	TO-244	TO-244	-
JESD-30 代码	R-PUFM-X2	R-PUFM-X2	-
最大非重复峰值正向电流	2000 A	2000 A	-
元件数量	2	2	-
相数	1	1	-
端子数量	2	2	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	-
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-
最大输出电流	100 A	100 A	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
最大重复峰值反向电压	100 V	50 V	-
最大反向电流	25 µA	25 µA	-
最大反向恢复时间	0.075 µs	0.075 µs	-
表面贴装	NO	NO	-
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
端子位置	UPPER	UPPER	-

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ