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GBJ605

产品描述2.8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小63KB,共2页
制造商Goodwork Semiconductor ( GW )
官网地址http://www.goodwork.com.tw/
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GBJ605概述

2.8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBJ601
THRU
GBJ607
SINGLE PHASE 6.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
6.0 Amperes
GBJ
1.193(30.3)
1.169(29.7)
.134(3.4)
.122(3.1)
.189(4.8)
.173(4.4)
.150(3.8)
.134(3.4)
.441(11.2)
.425(10.8)
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Mounting position: Any
.094(2.4)
.078(2.0)
.043(1.1)
.035(0.9)
~
~
.165(4.2)
.142(3.6)
.708(18.0)
.669(17.0)
.800(20.3)
.776(19.7)
.189
(4.8)
.402(10.2) .303(7.7) .303(7.7)
SPACING
.386(9.8) .287(7.3) .287(7.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
+
.114(2.9)
.098(2.5)
.031(0.8)
.023(0.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current at Tc=100 C (Without heatsink)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 3.0A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance R
JC
(Note 2)
Operating Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
STG
NOTES:
GBJ601 GBJ602 GBJ603 GBJ604 GBJ605 GBJ606 GBJ607
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
6.0
2.8
170
1.1
5.0
500
55
3.4
-55 +150
-55 +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
V
A
A
PF
C/W
C
C
Ta=100 C
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2. Thermal Resistance from Junction to Case with device mounted on 75mm x 75mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
284

GBJ605相似产品对比

GBJ605 GBJ601 GBJ602 GBJ603 GBJ606 GBJ604 GBJ607
描述 2.8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
厂商名称 - Goodwork Semiconductor ( GW ) Goodwork Semiconductor ( GW ) Goodwork Semiconductor ( GW ) Goodwork Semiconductor ( GW ) Goodwork Semiconductor ( GW ) -
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknow unknow -
配置 - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS -
二极管类型 - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V -
最大非重复峰值正向电流 - 170 A 170 A 170 A 170 A 170 A -
元件数量 - 4 4 4 4 4 -
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最大输出电流 - 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A 2.8 A -
最大重复峰值反向电压 - 50 V 100 V 200 V 800 V 400 V -
表面贴装 - NO NO NO NO NO -
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