BPX 61
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
BPX 61
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
Hermetisch dichte Metallbauform
(ähnlich TO-5)
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
IR-Fernsteuerungen
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
Hermetically sealed metal package
(similar to TO-5)
Application
q
Photointerrupters
q
IR-remote controls
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
BPX 61
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P25
Semiconductor Group
357
10.95
fmo06011
BPX 61
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 125
230
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
V
R
P
tot
32
250
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Symbol
Symbol
Wert
Value
70 (≥ 50)
850
400 ... 1100
Einheit
Unit
nA/Ix
nm
nm
S
λ
S max
λ
A
L
×
B
L
×
W
H
7.00
2.65
×
2.65
mm
2
mm
1.9 ... 2.3
mm
ϕ
±
55
2 (≤ 30)
Grad
deg.
nA
I
R
Semiconductor Group
358
BPX 61
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.62
0.90
375 (≥ 320)
70
20
Einheit
Unit
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
ns
S
λ
η
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
72
– 2.6
0.18
4.1
×
10
–14
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
6.6
×
10
12
Semiconductor Group
359
BPX 61
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
O
=
f
(E
v
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 5 V,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
360
京公网安备 11010802033920号
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