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MJE13003G-E-T6C-K

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小411KB,共9页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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MJE13003G-E-T6C-K概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN

MJE13003G-E-T6C-K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1261578602
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)36
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz

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描述 Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126C, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126S, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126S, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Objectid 1261578602 1164813148 1261578604 1343962010 1164813157 1164813252 1343962018 1164813261
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 36 46 46 46 46 46 46 46
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-220AB TO-126 TO-126 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
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