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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N4006A
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1N4006A

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小778KB，共2页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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1N4006A概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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SMD Type
Rectifier Diodes
1N4001A ~ 1N4007A
DO-214AC(SMA)
Diodes
Unit: mm
4.32
4.12
■
Features
●
Low forward voltage drop
●
High current capability
●
Easy pick and place
●
High surge current capability
●
Plastic material used carries Underwriters
Laboratory Classification 94V-0
4.597
3.988
2.126
1.397
2
1
2.896 2.22
2.489 2.02
5.668
4.925
2.75
2.55
5.87
5.67
Recommended
Land Pattern
2.438
1.981
1.524
0.762
0.203
0.051
0.305
0.152
■
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Forward Voltage @ 1A
Averaged Forward Current.T
T
=100℃
Peak Forward Surge Current @ 8.3ms
Maximum DC Reverse Current Ta=25℃
Ta=125℃
Maximum Reverse Current
Typical Junction Capacitance
*1
*2
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
F
I
FAV
I
FSM
I
R
trr
Cj
R
θJA
R
θJL
Tj
Tstg
75
27
150
-55 to 150
40
5
50
1.5
12
85
30
1N
4001A
50
35
50
1N
4002A
100
70
100
1N
4003A
200
140
200
1N
4004A
400
280
400
1.1
1
30
A
μA
us
pF
℃/W
1N
4005A
600
420
600
1N
4006A
800
560
800
1N
4007A
1000
700
1000
V
Unit
Thermal Resistance Junction to Ambient
Thermal Resistance Junction to Lead *3
Junction Temperature
Storage Temperature
℃
* 1 Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
* 2 Measured at 1 MHz and Applied V
R
=4.0 V
■
Marking
NO.
Marking
1N4001A 1N4002A 1N4003A 1N4004A 1N4005A 1N4006A 1N4007A
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
www.kexin.com.cn
1

1N4006A相似产品对比

1N4006A 1N4002A 1N4003A 1N4007A 1N4001A 1N4004A 1N4005A
描述 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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