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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MUR415
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MUR415

产品描述4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小728KB，共2页
制造商KEXIN
官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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MUR415概述

4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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DIP Type
Ultra Fast Recovery Diodes
MUR405 ~ MUR4100
DO-27
Diodes
■
Features
●
High Surge Capability
●
Low Leakage
●
Low Forward Voltage Drop
●
Ultra Fast Switching Speed For High Efficiency
0.220 (5.6)
0.197(5.0)
DIA.
1.0 (25.4)
MIN.
0.375(9.5)
0.285(7.2)
1.0 (25.4)
MIN.
0.052 (1.3)
0.048 (1.2)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
■
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Averaged Forward Current.T
A
=55℃
Peak Forward Surge Current
Typical thermal resistance
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
FAV
I
FSM
R
θJC
Tj
Tstg
MUR
405
50
35
50
MUR
410
100
70
100
MUR
415
150
105
150
MUR
420
200
140
200
4
150
20
150
-55 to 150
MUR
440
400
280
400
MUR
460
600
420
600
MUR
480
800
560
800
MUR
4100
1000
700
1000
A
℃/W
℃
V
Unit
■
Electrical Characteristics Ta = 25℃
Parameter
MUR405-415
Forward voltage
MUR420-460
MUR480-4100
Reverse voltage leakage current
MUR405-415
Reverse Recovery Time
MUR420-460
MUR480-4100
Junction Capacitance
MUR405-460
MUR480-4100
C
J
t
rr
IR
Ta = 25℃
Ta = 100℃
I
F
=0.5A, I
R
=1A,
Irr=0.25A
VF
IF=4A,Ta = 25℃
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
1
1.35
1.85
10
50
45
60
75
80
50
pF
ns
uA
V
Unit
V
R
=4V, f=1MHz
www.kexin.com.cn
1

MUR415相似产品对比

MUR415 MUR410 MUR420 MUR440 MUR480 MUR405 MUR4100 MUR460
描述 4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 4 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 4 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 4 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE,600V V(RRM),DO-201AD

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