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TSM1N80CWRPG

产品描述N-Channel Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小225KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSM1N80CWRPG概述

N-Channel Power MOSFET

TSM1N80CWRPG规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
Base Number Matches1

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TSM1N80
Taiwan Semiconductor
N-Channel Power MOSFET
800V, 0.3A, 21.6Ω
FEATURES
Advanced planar process
100% avalanche tested
Fast switching
KEY PERFORMANCE PARAMETERS
PARAMETER
V
DS
R
DS(on)
(max)
Q
g
VALUE
800
21.6
5
UNIT
V
nC
APPLICATION
Power Supply
Lighting
SOT-223
Notes:
Moisture sensitivity level: level 3. Per J-STD-020
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
(Note 1)
(Note 2)
(Note 1)
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
P
DTOT
T
J
T
J
, T
STG
LIMIT
800
±30
0.3
1
90
1
2.1
150
- 55 to +150
UNIT
V
V
A
A
mJ
A
W
°C
°C
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
Total Power Dissipation @ T
C
= 25°C
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
THERMAL PERFORMANCE
PARAMETER
Junction to Ambient Thermal Resistance
SYMBOL
R
ӨJA
LIMIT
60
UNIT
°C/W
Notes:
R
ӨJA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistances. The case thermal reference is defined
at the solder mounting surface of the drain pins. R
ӨJA
is guaranteed by design while R
ӨCA
is determined by the user’s board
design. R
ӨJA
shown below for single device operation on FR-4 PCB in still air
Document Number: DS_P0000037
1
Version: B15

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