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CBR25F-100P

产品描述25 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小462KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CBR25F-100P概述

25 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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CBR25F-010P SERIES
FAST RECOVERY
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
25 AMP, 100 THRU 600 VOLT
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR25F-010P series
devices are silicon, single phase, full wave bridge rectifiers
designed for fast recovery applications. The molded
epoxy case has a built-in metal baseplate for heat sink
mounting. The device utilizes standard 0.25” FASTON
terminals.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE FP
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL -010P
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
100
DC Blocking Voltage
VR
100
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TC=60°C)
Peak Forward Surge Current
RMS Isolation Voltage (case to lead)
Operating and StorageJunction Temperature
Thermal Resistance
VR(RMS)
IO
IFSM
Viso
TJ, Tstg
Θ
JC
70
CBR25F
-020P
-040P
200
400
200
140
25
300
2500
-65 to +150
1.5
400
280
-060P
600
600
420
UNITS
V
V
V
A
A
Vac
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C)
SYMBOL TEST CONDITIONS
IR
VR=Rated VRRM
VF
IF=12.5A
trr
trr
IF=0.5A, IR=1.0A,
IF=0.5A, IR=1.0A,
Irr=0.25A (100V, 200V, 400V)
Irr=0.25A (600V)
MIN
MAX
10
1.3
200
350
UNITS
μA
V
ns
ns
R1 (4-November 2013)

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