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1N4150

产品描述0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小61KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N4150概述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4150规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.62 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

1N4150相似产品对比

1N4150 1N3600
描述 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.62 V 0.62 V
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 4 A 4 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 150 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 50 V 50 V
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.006 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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