0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.62 V |
| JEDEC-95代码 | DO-35 |
| JESD-30 代码 | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 4 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最大输出电流 | 0.2 A |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 50 V |
| 最大反向恢复时间 | 0.006 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| 1N3600 | 1N4150 | |
|---|---|---|
| 描述 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.62 V | 0.62 V |
| JEDEC-95代码 | DO-35 | DO-35 |
| JESD-30 代码 | O-XALF-W2 | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 4 A | 4 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 200 °C |
| 最大输出电流 | 0.2 A | 0.2 A |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.5 W | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 50 V | 50 V |
| 最大反向恢复时间 | 0.006 µs | 0.006 µs |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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