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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N3595
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1N3595

产品描述0.15 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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1N3595概述

0.15 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N3595规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N3595
SILICON LOW LEAKAGE DIODE
JEDEC DO-35 CASE
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3595 is an epitaxial planar silicon diode designed for low leakage, high
conductance applications. Higher breakdown voltage devices are available on special order.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
Peak Repetitive Reverse Voltage
Peak Working Reverse Voltage
Average Forward Current
Forward Steady-State Current
Recurrent Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current (1.0s pulse)
Peak Forward Surge Current (1.0µs pulse)
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
VRRM
VRWM
IO
IF
if
IFSM
IFSM
PD
TJ,Tstg
150
125
150
225
600
500
4.0
500
-65 to +200
UNITS
V
V
mA
mA
mA
mA
A
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
IR
IR
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
VF
VF
VF
CT
trr
TEST CONDITIONS
VR=125V
VR=125V, TA=125°C
VR=125V, TA=150°C
VR=30V, TA=125°C
IR=100µA
IF=1.0mA
IF=5.0mA
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=0, f=1.0MHz
VR=3.5V, If=10mA, RL=1.0kΩ
MIN
MAX
1.0
500
3.0
300
150
0.54
0.62
0.65
0.75
0.79
0.83
0.69
0.77
0.80
0.88
0.92
1.0
8.0
3.0
UNITS
nA
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
pF
µs
(SEE REVERSE SIDE)
R1

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