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SG2803J

产品描述POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小106KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SG2803J概述

POWER TRANSISTOR

SG2803J规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
晶体管类型通用电源

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SG2800 SERIES
HIGH VOLTAGE MEDIUM
CURRENT DRIVER ARRAYS
DESCRIPTION
The SG2800 series integrates eight NPN Darlington pairs with
internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in
many military, aerospace, and industrial applications that require
severe environments. All units feature open collector outputs with
greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA
current carrying capabilities. Five different input configurations
provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or
CMOS drive signals. These devices are designed to operate from
-55°C to 125°C ambient temperature in a 18-pin dual in-line
ceramic (J) package and 20-pin leadless chip carrier (LCC).
FEATURES
Eight NPN Darlington pairs
Collector currents to 600mA
Output voltages from 50V to 95V
Internal clamping diodes for inductive loads
DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs
Hermetic ceramic package
HIGH RELIABILITY FEATURES
Available to MIL-STD-883 and DESC SMD
MIL-M38510/14106BVA - JAN2801J
MIL-M38510/14107BVA - JAN2802J
MIL-M38510/14108BVA - JAN2803J
MIL-M38510/14109BVA - JAN2804J
Radiation data available
LMI level "S" processing available
PARTIAL SCHEMATICS
4/90 Rev 1.5 11/97
Copyright
©
1997
1
11861 Western Avenue
Garden Grove, CA 92841
(714) 898-8121
FAX: (714) 893-2570
L
INFINITY
Microelectronics Inc.
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