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2N80_15

产品描述N-CHANNEL POWER MOSFET
文件大小274KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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2N80_15概述

N-CHANNEL POWER MOSFET

2N80_15相似产品对比

2N80_15 2N80G-TM3-R 2N80L-TM3-R 2N80G-TND-R 2N80L-TND-R
描述 N-CHANNEL POWER MOSFET 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET
厂商名称 - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明 - IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 TO-252D, 3/2 PIN TO-252D, 3/2 PIN
Reach Compliance Code - compli compli compli compli
雪崩能效等级(Eas) - 180 mJ 180 mJ 180 mJ 180 mJ
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 800 V 800 V 800 V 800 V
最大漏极电流 (ID) - 2.4 A 2.4 A 2.4 A 2.4 A
最大漏源导通电阻 - 6.3 Ω 6.3 Ω 6.3 Ω 6.3 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) - 9 pF 9 pF 9 pF 9 pF
JEDEC-95代码 - TO-251 TO-251 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 - R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 - 1 1 1 1
端子数量 - 3 3 2 2
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 43 W 43 W 43 W 43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 9.6 A 9.6 A 9.6 A 9.6 A
表面贴装 - NO NO YES YES
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON

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