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2N80L-TND-R: 产品描述N-CHANNEL POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小274KB，共7页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/

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2N80L-TND-R概述

N-CHANNEL POWER MOSFET

2N80L-TND-R规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明	TO-252D, 3/2 PIN
Reach Compliance Code	compli
雪崩能效等级（Eas）	180 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V
最大漏极电流 (ID)	2.4 A
最大漏源导通电阻	6.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	9 pF
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	9.6 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

2N80L-TND-R相似产品对比

	2N80L-TND-R	2N80G-TM3-R	2N80L-TM3-R	2N80G-TND-R	2N80_15
描述	N-CHANNEL POWER MOSFET	2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET	2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET	N-CHANNEL POWER MOSFET
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	-
包装说明	TO-252D, 3/2 PIN	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3	TO-252D, 3/2 PIN	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	-
雪崩能效等级（Eas）	180 mJ	180 mJ	180 mJ	180 mJ	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
最小漏源击穿电压	800 V	800 V	800 V	800 V	-
最大漏极电流 (ID)	2.4 A	2.4 A	2.4 A	2.4 A	-
最大漏源导通电阻	6.3 Ω	6.3 Ω	6.3 Ω	6.3 Ω	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
最大反馈电容 (Crss)	9 pF	9 pF	9 pF	9 pF	-
JEDEC-95代码	TO-252	TO-251	TO-251	TO-252	-
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	-
元件数量	1	1	1	1	-
端子数量	2	3	3	2	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
最大功率耗散 (Abs)	43 W	43 W	43 W	43 W	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	9.6 A	9.6 A	9.6 A	9.6 A	-
表面贴装	YES	NO	NO	YES	-
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-

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