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MGBR5L100

产品描述MOS GATED BARRIER RECTIFIER
文件大小166KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MGBR5L100概述

MOS GATED BARRIER RECTIFIER

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MGBR5L100
MOS GATED BARRIER
RECTIFIER
DESCRIPTION
Preliminary
DIODE
The UTC
MGBR5L100
is a surface mount mos gatedbarrier
rectifier,it uses UTC’s advanced technology to provide customers
withlow forward voltage drop and high switching speed, etc.
FEATURES
* Low forward voltage drop
* High switching speed
SYMBOL
ORDERING INFORMATION
Package
TO-252
DFN-8(5×6)
Pin Assignment
1 2 3 4 5 6 7 8
A K A - - - - -
A A A NC K K K K
Packing
Tube
Tape Reel
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
MGBR5L100L-TN3-T
MGBR5L100G-TN3-T
-
MGBR5L100G-K08-5060-R
Note: Pin Assignment: A: Anode
K: Cathode
MARKING
TO-252
DFN-8(5×6)
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2015 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R204-041.c

MGBR5L100相似产品对比

MGBR5L100 MGBR5L100G-TN3-T MGBR5L100L-TN3-T
描述 MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
Reach Compliance Code - compli compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 0.8 V 0.8 V
JEDEC-95代码 - TO-252 TO-252
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 - 150 A 150 A
元件数量 - 1 1
相数 - 1 1
端子数量 - 2 2
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C
最大输出电流 - 5 A 5 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 - 100 V 100 V
最大反向电流 - 250 µA 250 µA
表面贴装 - YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches - 1 1

 
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