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BC817.40WT1G

产品描述500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小61KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BC817.40WT1G概述

500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

500 mA, 45 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

BC817.40WT1G规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流0.5000 A
最大集电极发射极电压45 V
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数170
额定交叉频率170 MHz

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BC817-40W
45 V, 0.5 A, General
Purpose NPN Transistor
ON Semiconductor’s BC817−40W is a General Purpose NPN
Transistor that is housed in the SC−70/SOT−323 package.
Features
www.onsemi.com
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS
Compliant
COLLECTOR
3
1
BASE
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C)
Rating
Collector − Emitter Voltage
Collector − Base Voltage
Emitter − Base Voltage
Collector Current − Continuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
45
50
5.0
500
Unit
V
V
V
mAdc
2
EMITTER
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient (Note 1)
Junction and Storage Temperature
Range
Symbol
P
D
R
qJA
T
J
, T
stg
Max
460
272
−55 to +150
Unit
mW
°C/W
°C
SC−70
CASE 419
STYLE 3
MARKING DIAGRAM
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. FR−4 Board, 1 oz. Cu, 100 mm
2
CE
M
G
CE MG
G
1
= Specific Device Code
= Date Code
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
ORDERING INFORMATION
Device
BC817−40WT1G
NSVBC817−40WT1G
Package
SC−70
(Pb−Free)
SC−70
(Pb−Free)
Shipping
3000 / Tape &
Reel
3000 / Tape &
Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Brochure, BRD8011/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2016
1
May, 2016 − Rev. 2
Publication Order Number:
BC817−40W/D

BC817.40WT1G相似产品对比

BC817.40WT1G BC817-40W NSVBC817-40WT1G
描述 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR TRANS NPN GP 45V 500MA SC70-3
端子数量 3 3 3
表面贴装 Yes Yes YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL
元件数量 1 1 1
晶体管元件材料 SILICON
晶体管极性 NPN NPN -
最大集电极电流 0.5000 A 0.5000 A -
最大集电极发射极电压 45 V 45 V -
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED -
包装形状 矩形的 矩形的 -
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 -
结构 单一的 单一的 -
晶体管应用 放大器 放大器 -
晶体管类型 通用小信号 通用小信号 -
最小直流放大倍数 170 170 -
额定交叉频率 170 MHz 170 MHz -
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