电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NTS1545EMFST3G

产品描述Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小60KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NTS1545EMFST3G概述

Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier

NTS1545EMFST3G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PDSO-F5
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
JESD-30 代码R-PDSO-F5
最大非重复峰值正向电流210 A
元件数量1
相数1
端子数量5
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压45 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL

文档预览

下载PDF文档
NTS1545EMFS,
NRVTS1545EMFS
Exceptionally Low Leakage
Trench-based Schottky
Rectifier
http://onsemi.com
Features
Fine Lithography Trench−based Schottky Technology for Very Low
Leakage
Fast Switching with Exceptional Temperature Stability
Low Power Loss and Lower Operating Temperature
Higher Efficiency for Achieving Regulatory Compliance
Low Thermal Resistance
High Surge Capability
NRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
These are Pb−Free and Halide−Free Devices
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIERS
15 AMPERES
45 VOLTS
1,2,3
5,6
MARKING
DIAGRAM
A
1
C
TE1545
AYWWZZ
C
Typical Applications
A
A
Not Used
Switching Power Supplies including Wireless, Smartphone and
Notebook Adapters
High Frequency and DC−DC Converters
Freewheeling and OR−ing diodes
Reverse Battery Protection
Instrumentation
SO−8 FLAT LEAD
CASE 488AA
STYLE 2
TE1545
A
Y
W
ZZ
= Specific Device Code
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Lot Traceability
Mechanical Characteristics:
Case: Epoxy, Molded
Epoxy Meets Flammability Rating UL 94−0 @ 0.125 in.
Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)
Lead and Mounting SurfaceTemperature for Soldering Purposes:
260°C Max. for 10 Seconds
Device Meets MSL 1 Requirements
ORDERING INFORMATION
Device
NTS1545EMFST1G
NTS1545EMFST3G
NRVTS1545EMFST1G
NRVTS1545EMFST3G
Package
SO−8 FL
(Pb−Free)
SO−8 FL
(Pb−Free)
SO−8 FL
(Pb−Free)
SO−8 FL
(Pb−Free)
Shipping†
1500 /
Tape & Reel
5000 /
Tape & Reel
1500 /
Tape & Reel
5000 /
Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Brochure, BRD8011/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
1
July, 2014 − Rev. 0
Publication Order Number:
NTS1545EMFS/D

NTS1545EMFST3G相似产品对比

NTS1545EMFST3G NTS1545EMFS NTS1545EMFST1G
描述 Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier Exceptionally Low Leakage Trench-based Schottky Rectifier
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
包装说明 R-PDSO-F5 - R-PDSO-F5
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS - FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY - EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE - CATHODE
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.6 V - 0.6 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F5 - R-PDSO-F5
最大非重复峰值正向电流 210 A - 210 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 5 - 5
最高工作温度 175 °C - 175 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C
最大输出电流 15 A - 15 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 45 V - 45 V
最大反向电流 50 µA - 50 µA
表面贴装 YES - YES
技术 SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 414  1239  897  1188  2714  14  57  2  49  40 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved