MJD13003
High Voltage
SWITCHMODET Series
DPAK For Surface Mount Applications
This device is designed for high−voltage, high−speed power
switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly
suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as
switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers
and deflection circuits.
http://onsemi.com
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No
•
•
•
•
•
•
•
Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Reverse Biased SOA with Inductive Loads @ T
C
= 100_C
Inductive Switching Matrix 0.5 to 1.5 Amp, 25 and 100_C . . .
t
c
@ 1.0 A,
100_C is 290 ns (Typ)
700 V Blocking Capability
Switching and SOA Applications Information
Electrically Similar to the Popular MJE13003
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
1.5 AMPERES
400 VOLTS, 15 WATTS
CASE 369A−13
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
400
700
9
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Adc
Collector−Emitter Voltage
V
CEO(sus)
V
CEV
V
EBO
I
CM
I
BM
I
EM
P
D
P
D
I
E
I
B
I
C
Collector−Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Base Current — Continuous
— Peak (1)
1.5
3
0.75
1.5
2.25
4.5
Emitter Current — Continuous
— Peak (1)
Total Power Dissipation @ T
A
= 25_C (2)
Derate above 25_C
Total Power Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
1.56
0.0125
15
0.12
Watts
W/_C
Watts
W/_C
_C
T
J
, T
stg
−65
to + 150
CASE 369−07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0.190
4.826
0.243
6.172
Characteristic
Symbol
R
θJC
R
θJA
T
L
Max
Unit
0.063
1.6
inches
mm
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction to Case
8.33
80
_C/W
_C/W
_C
Thermal Resistance, Junction to Ambient (2)
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
260
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
v
10%.
(2) When surface mounted on minimum pad sizes recommended.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
August, 2006
−
Rev. 2
1
Publication Order Number:
MJD13003/D
0.118
3.0
0.07
1.8
0.165
4.191
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
μs,
Duty Cycle
v
2%.
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (1)
SECOND BREAKDOWN
OFF CHARACTERISTICS (1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Inductive Load, Clamped (Table 1, Figure 13)
Fall Time
Storage Time
Rise Time
Delay Time
Resistive Load (Table 1)
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 0.1 MHz)
Current−Gain — Bandwidth Product
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1 MHz)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 0.5 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.25 Adc)
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.25 Adc, T
C
= 100_C)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 0.5 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.25 Adc)
(I
C
= 1.5 Adc, I
B
= 0.5 Adc)
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.25 Adc, T
C
= 100_C)
DC Current Gain
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 2 Vdc)
(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 2 Vdc)
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 9 Vdc, I
C
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CEV
= Rated Value, V
BE(off)
= 1.5 Vdc)
(V
CEV
= Rated Value, V
BE(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 100_C)
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 10 mA, I
B
= 0)
Characteristic
I
C
= 1 A, V
clamp
= 300 Vdc,
I
B1
= 0.2 A, V
BE(off)
= 5 Vdc,
T
C
= 100_C
V
CC
= 125 Vdc, I
C
= 1 A,
I
B1
= I
B2
= 0.2 A, t
p
= 25
μs,
Duty Cycle 1%
http://onsemi.com
MJD13003
2
V
CEO(sus)
Symbol
RBSOA
V
CE(sat)
V
BE(sat)
I
EBO
I
CEV
C
ob
h
FE
I
S/b
t
sv
f
T
t
d
t
fi
t
c
t
s
t
r
t
f
Min
400
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
8
5
See Figure 12
See Figure 11
0.15
0.29
0.05
Typ
1.7
0.4
0.5
21
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
0.75
Max
0.7
0.1
0.5
1
3
1
0.1
2
1
1.2
1.1
40
25
—
—
—
4
4
1
1
—
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
pF
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
—
MJD13003
VCE , COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
80
60
hFE , DC CURRENT GAIN
40
30
20
−55
°C
10
8
6
4
0.02 0.03
V
CE
= 2 V
V
CE
= 5 V
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1
2
T
J
= 150°C
25°C
2
T
J
= 25°C
1.6
1.2
I
C
= 0.1 A
0.3 A 0.5 A
1A
1.5 A
0.8
0.4
0
0.002
0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
I
B
, BASE CURRENT (AMP)
0.5
1
2
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector Saturation Region
1.4
1.2
V, VOLTAGE (VOLTS)
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 3
V
BE(on)
@ V
CE
= 2 V
V, VOLTAGE (VOLTS)
0.35
0.3
0.25
0.2
25°C
0.15
0.1
150°C
0.05
0
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
I
C
/I
B
= 3
T
J
= −55°C
1
T
J
= −55°C
25°C
25°C
0.8
0.6
0.4
0.02 0.03
150°C
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 3. Base−Emitter Voltage
Figure 4. Collector−Emitter Saturation Region
10
4
V
CE
= 250 V
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
10
3
T
J
= 150°C
10
2
125°C
100°C
10
1
10
0
25°C
10
−1
−0.4
REVERSE
FORWARD
−0.2
0
+0.2
+0.4
V
BE
, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
+0.6
75°C
50°C
C, CAPACITANCE (pF)
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
0.1 0.2
C
ob
0.5
1 2
5 10 20
50 100 200
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
500 1000
C
ib
T
J
= 25°C
Figure 5. Collector Cutoff Region
Figure 6. Capacitance
http://onsemi.com
3
MJD13003
Table 1. Test Conditions For Dynamic Performance
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA AND INDUCTIVE SWITCHING
RESISTIVE
SWITCHING
+5 V
1N493
3
TEST CIRCUITS
0.001
μF
5
P
W
V
DUTY CYCLE
≤
10%
t
r
, t
f
≤
10 ns
68
33 1N493
3
2N222
2
33
MJE21
0
V
CC
+125 V
L
MR826
*
V
clamp
*SELECTED FOR
≥
1 kV
V
CE
D
1
−4 V
R
B
R
C
D.U.T.
SCOPE
1
k
R
B
I
B
I
C
5.1
k
51
1
+5 Vk
1
k 2N290
5
47 100
1/2
W
NOTE:
PW and V
CC
Adjusted for Desired I
C
R
B
Adjusted for Desired I
B1
1N493
3
270
0.02
μF
D.U.T.
MJE20
0
− V
BE(off)
COIL DATA:
FERROXCUBE CORE #6656
FULL BOBBIN (~200 TURNS)
#20
I
C
I
C(pk)
t
1
V
CE
V
CE
OR
V
clamp
TIM-
E
t
2
t
f
GAP FOR 30 mH/2
A
L
coil
= 50 mH
OUTPUT WAVEFORMS
V
CC
= 20 V
V
clamp
= 300 Vdc
V
CC
= 125 V
R
C
= 125
Ω
D1 = 1N5820 OR EQUIV.
R
B
= 47
Ω
+10.3
V
0
− 8.5 V
t
r
, t
f
< 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
R
B
AND R
C
ADJUSTED
FOR DESIRED I
B
AND I
C
25
μs
TEST WAVEFORMS
CIRCUIT
VALUES
t
f
CLAMPED
t
t
1
ADJUSTED TO
OBTAIN I
C
t
1
≈
t
2
≈
L
coil
(I
C )
pk
V
CC
L
coil
(I
C )
pk
TEST EQUIPMENT
SCOPE−TEKTRONICS
475 OR EQUIVALENT
t
V
clamp
http://onsemi.com
4
MJD13003
I
CPK
90% V
clamp
I
C
t
sv
t
rv
t
c
V
CE
I
B
90% I
B1
10% V
clamp
10%
I
CPK
2% I
C
90% I
C
t
fi
t
ti
V
clamp
TIME
Figure 7. Inductive Switching Measurements
Table 2. Typical Inductive Switching Performance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
I
C
AMP
0.5
1
T
C
_C
t
sv
μs
t
rv
μs
t
fi
μs
t
ti
μs
t
c
μs
25
100
25
100
25
100
1.3
1.6
1.5
1.7
1.8
3
0.23
0.26
0.10
0.13
0.07
0.08
0.30
0.30
0.14
0.26
0.10
0.22
0.35
0.40
0.05
0.06
0.05
0.08
0.30
0.36
0.16
0.29
0.16
0.28
1.5
NOTE: All Data Recorded in the Inductive Switching Circuit in
Table 1
SWITCHING TIMES NOTE
For the designer, there is minimal switching loss during
storage time and the predominant switching power losses
occur during the crossover interval and can be obtained
using the equation:
P
SWT
= 1/2 V
CC
I
C
(t
c
)f
In resistive switching circuits, rise, fall, and storage times
have been defined and apply to both current and voltage
waveforms since they are in phase. However, for inductive
loads which are common to SWITCHMODE power
supplies and hammer drivers, current and voltage
waveforms are not in phase. Therefore, separate
measurements must be made on each waveform to
determine the total switching time. For this reason, the
following new terms have been defined.
t
sv
= Voltage Storage Time, 90% I
B1
to 10% V
clamp
t
rv
= Voltage Rise Time, 10
−90%
V
clamp
t
fi
= Current Fall Time, 90
−10%
I
C
t
ti
= Current Tail, 10
−2%
I
C
t
c
= Crossover Time, 10% V
clamp
to 10% I
C
In general, t
rv
+ t
fi
≈
t
c
. However, at lower test currents this
relationship may not be valid.
As is common with most switching transistors, resistive
switching is specified at 25_C and has become a benchmark
for designers. However, for designers of high frequency
converter circuits, the user oriented specifications which
make this a “SWITCHMODE” transistor are the inductive
switching speeds (t
c
and t
sv
) which are guaranteed at 100_C.
An enlarged portion of the inductive switching
waveforms is shown in Figure 7 to aid in the visual identity
of these terms.
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
