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EGP50F

产品描述5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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EGP50F概述

5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

EGP50F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknow
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流5 A
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

EGP50F相似产品对比

EGP50F EGP50A EGP50A_11 EGP50B EGP50C EGP50D EGP50G
描述 5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknown - unknow unknow unknown unknow
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 0.95 V - 0.95 V 0.95 V 0.95 V 1.3 V
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 - 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 5 A 5 A - 5 A 5 A 5 A 5 A
最大重复峰值反向电压 300 V 50 V - 100 V 150 V 200 V 400 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs - 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO - NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 - - - 1 1
厂商名称 - Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
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