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BZW06-5V8B

产品描述600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共3页
制造商TAYCHIPST
官网地址http://www.taychipst.com
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BZW06-5V8B概述

600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15

600 W, 双向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-15

BZW06-5V8B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
最大击穿电压7.14 V
最小击穿电压6.45 V
加工封装描述PLASTIC PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
工艺AVALANCHE
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限5 W
极性BIDIRECTIONAL
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
关闭电压5.8 V
最大非重复峰值转速功率600 W

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BZW06-5V8/376
BZW06-5V8B/376B
Voltage regulator dides
10.5V-603V
0.8A-38A
FEATURES
s
s
s
s
s
s
PEAK PULSE POWER : 400 W (10/1000µs)
STAND-OFF VOLTAGE RANGE :
From 5.8V to 376 V
UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES
LOW CLAMPING FACTOR
FAST RESPONSE TIME
UL RECOGNIZED
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25°C)
Symbol
P
PP
P
I
FSM
Parameter
Peak pulse power dissipation (see note 1)
Power dissipation on infinite heatsink
Non repetitive surge peak forward current
for unidirectional types
Storage temperature range
Maximum junction temperature
Maximum lead temperature for soldering during 10s a 5mm
from case.
Tj initial = Tamb
T
amb
= 75°C
tp = 10ms
Tj initial = T
amb
Value
600
1.7
100
Unit
W
W
A
T
stg
T
j
T
L
- 65 to + 175
175
230
°C
°C
°C
Note 1
: For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.
THERMAL RESISTANCES
Symbol
R
th (j-l)
R
th (j-a)
Junction to leads
Junction to ambient on printed circuit.
L
lead
= 10 mm
Parameter
Value
60
100
Unit
°C/W
°C/W
E-mail: sales@taychipst.com
1 of 3
Web Site: www.taychipst.com
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