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BYM26D

产品描述2.3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小152KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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BYM26D概述

2.3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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BYM26A-BYM26E
Super Fast Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 200 --- 1000 V
CURRENT: 2.3 A
Features
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 27
Mechanical Data
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYM26A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYM26B
400
280
400
BYM26C
600
420
600
2.3
BYM26D
800
560
800
BYM26E UNITS
1000
700
1000
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
200
140
200
Peak forw ard surge current
10
ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
30
85
45.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 2.0A
Maximum reverse current
@T
A
=25
at rated DC blocking voltage @T
A
=100
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
2.65
10.0
150.0
75
75
75
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
A
ns
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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