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BAV19

产品描述0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小85KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BAV19概述

0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

BAV19规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-204AH
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压120 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

BAV19相似产品对比

BAV19 BAV17 BAV18 BAV20 BAV21
描述 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.25 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknow unknow unknown unknow unknow
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 175 °C 150 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 0.2 A 0.25 A 0.25 A 0.2 A 0.25 A
最大重复峰值反向电压 120 V 25 V 60 V 200 V 250 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
是否无铅 不含铅 - - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 -
包装说明 O-LALF-W2 - - O-LALF-W2 O-LALF-W2
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED - - ISOLATED ISOLATED
二极管元件材料 SILICON - - SILICON SILICON
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V -
JEDEC-95代码 DO-204AH - - DO-204AH DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 - - O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e2 e2 e0 -
端子数量 2 - - 2 2
封装主体材料 GLASS - - GLASS GLASS
封装形状 ROUND - - ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM - - LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 WIRE - - WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - - AXIAL AXIAL

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