0.25 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | SINGLE |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JESD-609代码 | e2 |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C |
最大输出电流 | 0.25 A |
最大重复峰值反向电压 | 25 V |
最大反向恢复时间 | 0.05 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) |
BAV17 | BAV18 | BAV19 | BAV20 | BAV21 | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | 0.25 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknow | unknow | unknow |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
最大输出电流 | 0.25 A | 0.25 A | 0.2 A | 0.2 A | 0.25 A |
最大重复峰值反向电压 | 25 V | 60 V | 120 V | 200 V | 250 V |
最大反向恢复时间 | 0.05 µs | 0.05 µs | 0.05 µs | 0.05 µs | 0.05 µs |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 | - |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V | - |
JESD-609代码 | e2 | e2 | e0 | e0 | - |
端子面层 | Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) | Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
是否无铅 | - | - | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
包装说明 | - | - | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
ECCN代码 | - | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | - | - | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
二极管元件材料 | - | - | SILICON | SILICON | SILICON |
JEDEC-95代码 | - | - | DO-204AH | DO-204AH | DO-35 |
JESD-30 代码 | - | - | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
端子数量 | - | - | 2 | 2 | 2 |
封装主体材料 | - | - | GLASS | GLASS | GLASS |
封装形状 | - | - | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | - | - | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
认证状态 | - | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
端子形式 | - | - | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | - | - | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
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