AM7200-25RC,AM7200-25RC pdf中文资料,AM7200-25RC引脚图,AM7200-25RC电路-Datasheet-电子工程世界

AM7200-25RC: 产品描述RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO; 产品类别存储存储; 文件大小485KB，共1页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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AM7200-25RC概述

RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO

AM7200-25RC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	DIP,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	RETRANSMIT
周期时间	35 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
长度	35.2425 mm
内存密度	2304 bit
内存宽度	9
功能数量	1
端子数量	28
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256X9
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

AM7200-25RC相似产品对比

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描述	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO	RAM BASED FIRST-IN FIRST-OUT useful in a wide range of applications 256x9 FIFO
厂商名称	Rochester Electronics	-	-	Rochester Electronics	-	Rochester Electronics	Rochester Electronics	-	Rochester Electronics	Rochester Electronics
包装说明	DIP,	-	-	DIP,	-	DIP,	QCCJ,	-	QCCJ,	DIP,
Reach Compliance Code	unknown	-	-	unknown	-	unknown	unknown	-	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	-	-	EAR99	-	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	-	-	35 ns	-	25 ns	35 ns	-	50 ns	50 ns
其他特性	RETRANSMIT	-	-	RETRANSMIT	-	RETRANSMIT	RETRANSMIT	-	RETRANSMIT	RETRANSMIT
周期时间	35 ns	-	-	45 ns	-	35 ns	45 ns	-	65 ns	65 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	-	-	R-PDIP-T28	-	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32	-	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28
长度	35.2425 mm	-	-	37.084 mm	-	37.084 mm	13.97 mm	-	13.97 mm	37.084 mm
内存密度	2304 bit	-	-	2304 bit	-	2304 bit	2304 bit	-	2304 bit	2304 bit
内存宽度	9	-	-	9	-	9	9	-	9	9
功能数量	1	-	-	1	-	1	1	-	1	1
端子数量	28	-	-	28	-	28	32	-	32	28
字数	256 words	-	-	256 words	-	256 words	256 words	-	256 words	256 words
字数代码	256	-	-	256	-	256	256	-	256	256
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	-	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	-	70 °C	-	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	256X9	-	-	256X9	-	256X9	256X9	-	256X9	256X9
可输出	NO	-	-	NO	-	NO	NO	-	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	-	-	DIP	-	DIP	QCCJ	-	QCCJ	DIP
封装形状	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	-	-	IN-LINE	-	IN-LINE	CHIP CARRIER	-	CHIP CARRIER	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	-	-	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	5.08 mm	-	-	5.715 mm	-	5.715 mm	3.556 mm	-	3.556 mm	5.715 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	-	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	-	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	-	5 V	-	5 V	5 V	-	5 V	5 V
表面贴装	NO	-	-	NO	-	NO	YES	-	YES	NO
技术	CMOS	-	-	CMOS	-	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	-	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	-	-	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	J BEND	-	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	-	-	2.54 mm	-	2.54 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	-	-	DUAL	-	DUAL	QUAD	-	QUAD	DUAL
宽度	7.62 mm	-	-	15.24 mm	-	15.24 mm	11.43 mm	-	11.43 mm	15.24 mm
Base Number Matches	1	-	-	1	-	1	1	-	1	1

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