datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC1318AQ
PDF数据手册
文档预览

2SC1318AQ

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB，共2页
制造商Bytesonic Corporation
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC1318AQ概述

Transistor

2SC1318AQ规格参数

参数名称属性值
厂商名称Bytesonic Corporation
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量20 pF
集电极-发射极最大电压70 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)85
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.75 W
最大功率耗散 (Abs)0.75 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
VCEsat-Max0.6 V
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
2SC1318A
FEATURES
TRANSISTOR（NPN）
TO-92
1.
EMITTER
∙
Collector output capacitance :
Cob=11
pF
(TYP),20
pF
(MAX)
2.
COLLECTOR
3.
BASE
1 2 3
MAXIMUM RATINGS*
T
A
=25
℃
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
stg
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Dissipation
Junction and Storage Temperature
Parameter
Value
80
70
5
500
750
-55-150
Units
V
V
V
mA
mW
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE(1)
DC current gain
h
FE(2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Test
unless
otherwise
specified）
MIN
80
70
5
0.1
85
40
0.6
1.5
120
11
20
V
V
MHz
pF
340
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
μA
conditions
Ic=
10
μA,I
E
=0
Ic=
2
mA,I
B
=0
I
E
=
10
μA,I
C
=0
V
CB
=
20
V,I
E
=0
V
CE
=
10
V,I
C
=
150
mA
V
CE
=
10
V,I
C
=
500
mA
I
C
=
300
mA,I
B
=
30
mA
I
C
=
300
mA,I
B
=
30
mA
V
CE
=
10
V,I
C
=50mA,f=
200
MHz
V
CB
=
10
V,I
E
=0,f=
1
MHz
f
T
C
ob
CLASSIFICATION OF
Rank
Range
h
FE(1)
Q
85-170
R
120-240
S
170-340

2SC1318AQ相似产品对比

2SC1318AQ 2SC1318AS 2SC1318AR
描述 Transistor Transistor Transistor
厂商名称 Bytesonic Corporation Bytesonic Corporation Bytesonic Corporation
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
基于收集器的最大容量 20 pF 20 pF 20 pF
集电极-发射极最大电压 70 V 70 V 70 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 85 170 120
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 0.75 W 0.75 W 0.75 W
最大功率耗散 (Abs) 0.75 W 0.75 W 0.75 W
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 120 MHz 120 MHz 120 MHz
VCEsat-Max 0.6 V 0.6 V 0.6 V
Base Number Matches 1 1 1

推荐资源

天能TN-1智能负脉冲充电电路

晶闸管式抢答电路之三

市电过压、欠压保护电路

信号发生器电路图

TC9153P-电子音童控制集成电路

使用开关恒流电路的充电器

器件捷径:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

  1. MMSD-18-24-L-11.80-D-K-LDX
  2. ASV-28-FREQ-F-J-S-50
  3. SAI700A
  4. 51700-10414804AC
  5. 800-014-DDZ19-19NS6C-72
  6. HQDP-020-03.75-TEU-TTR-2
  7. LM7918CZ
  8. 455T220R153B1K1
  9. BD1050CS
  10. 3KP120_AY_00001
  11. P6SMBJ36A-T/R
  12. GDZ6.8C-34B

开源项目推荐更多

  1. MIKROE-3447、6DOF IMU 8 Click Board 适用于 ISM330DLC 3D 加速度计、具有工业应用数字输出的 3D 陀螺仪
  2. L99PM62GXP和L99PM72GXP评估板
  3. MIC26903-ZA 的典型应用：28V、9A 超速控制同步 DC 至 DC 降压稳压器 Super Switcher II
  4. 用于 AD7884 16 位高速 ADC 的 AD780 精密 3V 基准的典型应用电路
  5. 具有单端天线、单端内部 PA、无 RX/TX 开关的典型应用，适用于 AX8052F143 SoC 超低功耗射频微控制器，射频载波频率范围为 27 - 1050 MHz
  6. 用于电池充电指示器的 NCP300LSN34T1 3.4V 电压检测器的典型应用
  7. AM3G-2405SH30Z 5V 3W DC/DC 转换器的典型应用
  8. 使用 ON Semiconductor 的 RC4190 的参考设计
  9. MIC2043-2YM 单通道、大电流、低电压、受保护配电开关的典型应用
  10. LT3091MPT7 负输出电流监视器的典型应用

热门活动更多

  1. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  2. 免费申请《一本书讲透汽车功能安全：标准详解与应用实践》，挑战《ISO26262标准》共读，赢好礼
  3. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  4. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！
  5. 有奖直播：ADI BMS 硬件和软件设计指南
  7. 免费申请：红外定位摄像头SEN0158
  8. 有奖直播：借助PXI与NI LabVIEW+ 套件加速电子产品自动化测试
  9. 罗德与施瓦茨―从天到地 从测试者角度 解读NTN技术
  10. 有奖直播：AI基础设施技术测试周

热门文章更多

  1. 高压开关动特性测试仪做单合/分测试时开关动作但无数据
  2. 防腐磁翻板液位计的工作原理
  3. 浅析汽车上的OTA 技术
  4. 特斯拉FSD三种驾驶模式曝光 软件订阅成为增长点
  5. 小米12系列影像系统解密：重写整个相机架构，异构/并行运
  6. 晶心科技林志明解读RISC-V的成功秘笈

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1217  694  460  1076  1916  25  14  10  22  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved