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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5400_10

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1N5400_10: 产品描述3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小617KB，共2页; 制造商DIOTEC; 官网地址http://www.diotec.com/

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1N5400_10概述

3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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1N5400 THRU 1N5408

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts

GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER

Forward Current - 3.0 Ampere

FEATURES

●

The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

Construction utilizes void-free

molded plastic technique

Low reverse leakage

High forward surge current capability

High temperature soldering guaranteed:

250 C/10 seconds,0.375

”

(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

DO-201AD

1.0 (25.4)

MIN.

0.220 (5.6)

0.197(5.0)

DIA.

0.375(9.5)

0.285(7.2)

MECHANICAL DATA

Case

: JEDEC DO-201AD molded plastic body

Terminals

: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity

: Color band denotes cathode end

Mounting Position

: Any

Weight

:0.04 ounce, 1.10 grams

1.0 (25.4)

MIN.

0.052 (1.3)

0.048 (1.2)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

Characteristic

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

0.375”(9.5mm) lead length at T

=75 C

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A

Maximum DC reverse current

=25 C

at rated DC blocking voltage

=100 C

Typical junction capacitance (NOTE 1)

Typical thermal resistance (NOTE 2)

Operating junction and storage temperature range

SYMBOLS

1N 1N

5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408

UNITS

µA

RRM

RMS

(AV)

FSM

STG

100 200 300 400 500

70 140 210 280 350

100 200 300 400 500

3.0

200

1.1

5.0

100

30.0

20.0

-65 to +150

600 800 1000

420 560 700

600 800 1000

C/W

Note:1.Measured

at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

1N5400_10相似产品对比

	1N5400_10	1N5407	1N5403	1N5405
描述	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合
厂商名称	-	DIOTEC	DIOTEC	DIOTEC
零件包装代码	-	DO-201	DO-201	DO-201
包装说明	-	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
针数	-	2	2	2
Reach Compliance Code	-	compliant	compliant	compli
应用	-	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	-	1.2 V	1.2 V	1.2 V
JEDEC-95代码	-	DO-201	DO-201	DO-201
JESD-30 代码	-	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
湿度敏感等级	-	1	1	1
最大非重复峰值正向电流	-	200 A	200 A	200 A
元件数量	-	1	1	1
相数	-	1	1	1
端子数量	-	2	2	2
最高工作温度	-	175 °C	175 °C	175 °C
最大输出电流	-	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	-	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	-	800 V	300 V	500 V
表面贴装	-	NO	NO	NO
端子形式	-	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	-	AXIAL	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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