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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5307
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1N5307

产品描述2.4 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小332KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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1N5307概述

2.4 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7

1N5307规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码DO-35
包装说明DO-35, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型CURRENT REGULATOR DIODE
最小动态阻抗345000 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大限制电压2 V
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.6 W
认证状态Not Qualified
标称调节电流 (Ireg)2.4 mA
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术FIELD EFFECT
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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1N5283 THRU 1N5314
SILICON CURRENT LIMITING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5283 series
types are silicon field effect current regulator diodes
designed for applications requiring a constant
current over a wide voltage range. These devices
are manufactured in the cost effective DO-35 double
plug case which provides many benefits to the
user, including space savings and improved thermal
characteristics. Special selections of IP (regulator
current) are available for critical applications.
DO-35 CASE
FEATURES:
• High Reliability
• Special Selections Available
• Superior Lot To Lot Consistency
• Surface Mount Devices Available
SYMBOL
POV
PD
TJ, Tstg
UNITS
V
mW
°C
MAXIMUM RATINGS:
(TL=75°C)
Peak Operating Voltage
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
Regulator
Current
(Note 1)
Type
MIN
mA
1N5283
1N5284
1N5285
1N5286
1N5287
1N5288
1N5289
1N5290
1N5291
1N5292
1N5293
1N5294
1N5295
1N5296
1N5297
1N5298
0.198
0.216
0.243
0.270
0.297
0.351
0.387
0.423
0.504
0.558
0.612
0.675
0.738
0.819
0.900
0.990
IP @ VT=25V
NOM
mA
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.39
0.43
0.47
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91
1.00
1.10
MAX
mA
0.242
0.264
0.297
0.330
0.363
0.429
0.473
0.517
0.616
0.682
0.748
0.825
0.902
1.001
1.10
1.21
100
600
-65 to +200
Minimum
Dynamic
Impedance
ZT @ VT=25V
MΩ
25
19
14
9.0
6.6
4.1
3.3
2.7
1.90
1.55
1.35
1.15
1.00
0.88
0.80
0.70
Minimum
Knee
Impedance
ZK @ VK=6.0V
MΩ
2.75
2.35
1.95
1.60
1.35
1.00
0.87
0.75
0.56
0.47
0.40
0.335
0.29
0.24
0.205
0.18
Maximum
Limiting
Voltage
VL @ IL=0.8 x IP MIN
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.05
1.05
1.05
1.10
1.13
1.15
1.20
1.25
1.29
1.35
1.40
Notes: (1) Pulsed Method: Pulse Width (ms) = 27.5 divided by IP NOM (mA)
R3 (24-May 2010)

1N5307相似产品对比

1N5307 1N5309 M7S 1N5314
描述 2.4 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7 3 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7 COMPOSITE OUTLINE ASSY 4.7 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor - Central Semiconductor
零件包装代码 DO-35 DO-35 - DO-35
包装说明 DO-35, 2 PIN O-LALF-W2 - DO-35, 2 PIN
针数 2 2 - 2
Reach Compliance Code _compli not_compliant - _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
二极管类型 CURRENT REGULATOR DIODE CURRENT REGULATOR DIODE - CURRENT REGULATOR DIODE
最小动态阻抗 345000 Ω 300000 Ω - 235000 Ω
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35 - DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 - O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 - e0
最大限制电压 2 V 2.25 V - 2.9 V
元件数量 1 1 - 1
端子数量 2 2 - 2
最高工作温度 200 °C 200 °C - 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C - -65 °C
封装主体材料 GLASS GLASS - GLASS
封装形状 ROUND ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM - LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.6 W 0.6 W - 0.6 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
标称调节电流 (Ireg) 2.4 mA 3 mA - 4.7 mA
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V - 100 V
表面贴装 NO NO - NO
技术 FIELD EFFECT FIELD EFFECT - FIELD EFFECT
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL - AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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