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1N5230B

产品描述4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小149KB,共2页
制造商PFS
官网地址http://www.ps-pfs.com/ENG/main.asp
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1N5230B概述

4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

4.7 V, 0.5 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-35

1N5230B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压4.7 V
加工封装描述GLASS, SC-40, 2 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料GLASS
工艺ZENER
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限0.5000 W
极性UNIDIRECTIONAL
二极管类型VOLTAGE REGULATOR DIODE
工作测试电流20 mA
最大总参考电压5 %

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Zener diode
1N5221B~1N5267B
DO-35
Features
1.High reliability
2.Very sharp reverse characteristic
3.Low reverse current level
4.Vz-tolerance
*
5%
1.02(26.0)
MIN
.079(2.0)
MAX
.165(4.2)
MAX
Applications
Voltage stabilization
1.02(26.0)
MIN
Absoluto Maximum Ratings
0
Tj=25 C
Parameter
Power dissipation
Z-current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
T
amb
*75
0
C
Type
.020(.52)
TYP
Dimensions in inches and (millimeters)
Symbol
P
D
l
z
Tj
Tstg
Value
500
P
D
/V
z
200
-65~+200
Unit
mW
mA
0
C
0
C
Maximum Thermal Resistance
Tj=25
0
C
Parameter
Junction ambient
Test Condltions
I=9.5mm(3/8") T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrcal Characteristics
Tj=25
0
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
l
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
Web Site:
WWW.PS-PFS.COM
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