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SN74V283PZAEP

产品描述Enhanced Product 32768 X 18 Synchronous Fifo Memory 80-LQFP -55 to 125
产品类别存储    存储   
文件大小691KB,共49页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74V283PZAEP概述

Enhanced Product 32768 X 18 Synchronous Fifo Memory 80-LQFP -55 to 125

SN74V283PZAEP规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-80
针数80
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time1 week
最长访问时间5 ns
其他特性CAN ALSO BE CONFIGURED AS 65536 X 9
备用内存宽度9
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
周期时间7.5 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G80
JESD-609代码e4
长度14 mm
内存密度589824 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级4
功能数量1
端子数量80
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP80,.64SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1

SN74V283PZAEP相似产品对比

SN74V283PZAEP SN74V263PZAEP SN74V273PZAEP SN74V293PZAEP
描述 Enhanced Product 32768 X 18 Synchronous Fifo Memory 80-LQFP -55 to 125 Enhanced Product 8192 X 18 Synchronous Fifo Memory 80-LQFP -55 to 125 Enhanced Product 16384 X 18 Synchronous Fifo Memory 80-LQFP -55 to 125 Enhanced Product 65536 X 18 Synchronous Fifo Memory 80-LQFP -55 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 TQFP-80 LQFP, QFP80,.64SQ LQFP, QFP80,.64SQ LQFP, QFP80,.64SQ
针数 80 80 80 80
Reach Compliance Code compliant compli compli compli
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 5 ns 5 ns 5 ns 5 ns
其他特性 CAN ALSO BE CONFIGURED AS 65536 X 9 CAN ALSO BE CONFIGURED AS 16384 X 9 CAN ALSO BE CONFIGURED AS 32768 X 9 CAN ALSO BE CONFIGURED AS 131072 X 9
备用内存宽度 9 9 9 9
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz
周期时间 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns
JESD-30 代码 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80 S-PQFP-G80
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 589824 bit 147456 bi 294912 bi 1179648 bi
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 18 18 18 18
湿度敏感等级 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1
端子数量 80 80 80 80
字数 32768 words 8192 words 16384 words 65536 words
字数代码 32000 8000 16000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 32KX18 8KX18 16KX18 64KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 QFP80,.64SQ QFP80,.64SQ QFP80,.64SQ QFP80,.64SQ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最大压摆率 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
Base Number Matches 1 1 1 1
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
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