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H5TQ4G83AFR-H9J

产品描述DDR DRAM, 512MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
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文件大小543KB,共33页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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H5TQ4G83AFR-H9J概述

DDR DRAM, 512MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

H5TQ4G83AFR-H9J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA78,9X13,32
针数78
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.255 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B78
长度11 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA78,9X13,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.011 A
最大压摆率0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度9 mm
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