10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
10 A, 60 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-251
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 3 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大集电极电流 | 10 A |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 加工封装描述 | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | IN-LINE |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | SINGLE |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
| 最小直流放大倍数 | 5 |
| 额定交叉频率 | 2 MHz |
| MJE3055T_09 | MJE3055TG-TM3-T | MJE3055TG-TN3-R | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 2 |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | - | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 零件包装代码 | - | TO-251 | TO-252 |
| 包装说明 | - | HALOGEN FREE PACKAGE-3 | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 针数 | - | 3 | 4 |
| Reach Compliance Code | - | compli | compli |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | - | 10 A | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | - | 60 V | 60 V |
| 配置 | - | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | - | 5 | 5 |
| JEDEC-95代码 | - | TO-251 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | - | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | - | NPN | NPN |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | NO | YES |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称过渡频率 (fT) | - | 2 MHz | 2 MHz |
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