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MJE3055TG-TM3-T

产品描述10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小112KB,共2页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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MJE3055TG-TM3-T概述

10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251

10 A, 60 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-251

MJE3055TG-TM3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-251
包装说明HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MJE3055T
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC
MJE3055T
is designed for general purpose of
amplifier and switching applications.
NPN SILICON TRANSISTOR
Lead-free:
MJE3055TL
Halogen-free: MJE3055TG
ORDERING INFORMATION
Normal
MJE3055T-TA3-T
MJE3055T-TM3-T
MJE3055T-TN3-R
Ordering Number
Lead Free Plating
MJE3055TL-TA3-T
MJE3055TL-TM3-T
MJE3055TL-TN3-R
Halogen Free
MJE3055TG-TA3-T
MJE3055TG-TM3-T
MJE3055TG-TN3-R
Package
TO-220
TO-251
TO-252
Pin Assignment
1
2
3
B
C
E
B
C
E
B
C
E
Packing
Tube
Tube
Tape Reel
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
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QW-R203-011.C

MJE3055TG-TM3-T相似产品对比

MJE3055TG-TM3-T MJE3055TG-TN3-R MJE3055T_09
描述 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
零件包装代码 TO-251 TO-252 -
包装说明 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3 -
针数 3 4 -
Reach Compliance Code compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A -
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 5 5 -
JEDEC-95代码 TO-251 TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN NPN -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO YES -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
标称过渡频率 (fT) 2 MHz 2 MHz -

 
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