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IRF230

产品描述9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF230概述

9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

9 A, 200 V, 0.49 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-204AA

IRF230规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-3
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)54 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.49 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)36 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRF230相似产品对比

IRF230
描述 9 A, 200 V, 0.49 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
是否无铅 含铅
厂商名称 International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-3
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 54 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (ID) 9 A
最大漏源导通电阻 0.49 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 36 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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