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BYX82_10

产品描述2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小126KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BYX82_10概述

2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BYX82, BYX83, BYX84, BYX85, BYX86
Vishay Semiconductors
Standard Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Glass passivated junction
• Hermetically sealed package
• Low reverse current
• High surge current loading
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
949539
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21
definition
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-57
Terminals:
plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 369 mg
APPLICATIONS
• Rectification, general purpose
PARTS TABLE
PART
BYX82
BYX83
BYX84
BYX85
BYX86
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 200 V; I
FAV
= 2 A
V
R
= 400 V; I
FAV
= 2 A
V
R
= 600 V; I
FAV
= 2 A
V
R
= 800 V; I
FAV
= 2 A
V
R
= 1000 V; I
FAV
= 2 A
PACKAGE
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
BYX82
BYX83
Reverse voltage = repetitive peak
reverse voltage
See electrical characteristics
BYX84
BYX85
BYX86
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
i
2
* t-rating
Junction and storage temperature
range
T
amb
45 °C
t
p
= 10 ms, half sine wave
SYMBOL
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
i
2
* t
T
j
= T
stg
VALUE
200
400
600
800
1000
50
10
2
8
- 55 to + 175
UNIT
V
V
V
V
V
A
A
A
A
2
* s
°C
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Junction ambient
TEST CONDITION
Lead length l = 10 mm, T
L
= constant
On PC board with spacing 25 mm
SYMBOL
R
thJA
R
thJA
VALUE
45
100
UNIT
K/W
K/W
Document Number: 86052
Rev. 1.6, 09-Aug-10
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1

BYX82_10相似产品对比

BYX82_10 BYX84 BYX86
描述 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 - 不含铅 不含铅
包装说明 - O-LALF-W2 O-LALF-W2
针数 - 2 2
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED
配置 - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 - O-LALF-W2 O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 - 50 A 50 A
元件数量 - 1 1
相数 - 1 1
端子数量 - 2 2
最大输出电流 - 2 A 2 A
封装主体材料 - GLASS GLASS
封装形状 - ROUND ROUND
封装形式 - LONG FORM LONG FORM
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 600 V 1000 V
最大反向恢复时间 - 4 µs 4 µs
表面贴装 - NO NO
端子形式 - WIRE WIRE
端子位置 - AXIAL AXIAL
Base Number Matches - 1 1
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