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BYW86

产品描述3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BYW86概述

3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYW86规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOD
包装说明HERMETIC SEALED, SOD-64, 2 PIN
针数2
制造商包装代码SOD-64
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间6 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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BYW82, BYW83, BYW84, BYW85, BYW86
Vishay Semiconductors
Standard Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Glass passivated junction
• Hermetically sealed package
• Controlled avalanche characteristics
• Low reverse current
• High surge current loading
949588
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-64
Terminals:
plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 858 mg
APPLICATIONS
• Rectification, general purpose
PARTS TABLE
PART
BYW82
BYW83
BYW84
BYW85
BYW86
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 200 V; I
FAV
= 3 A
V
R
= 400 V; I
FAV
= 3 A
V
R
= 600 V; I
FAV
= 3 A
V
R
= 800 V; I
FAV
= 3 A
V
R
= 1000 V; I
FAV
= 3 A
PACKAGE
SOD-64
SOD-64
SOD-64
SOD-64
SOD-64
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
BYW82
BYW83
Reverse voltage = repetitive peak
reverse voltage
See electrical characteristics
BYW84
BYW85
BYW86
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
Pulse avalanche peak power
Pulse energy in avalanche mode, non
repetitive (inductive load switch off)
i
2
t-rating
Junction and storage temperature
range
t
p
= 20 μs, half sine wave, T
j
= 175 °C
I
(BR)R
= 1 A, T
j
= 175 °C
t
p
= 10 ms, half sine wave
SYMBOL
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
FAV
P
R
E
R
i
2
t
T
j
= T
stg
VALUE
200
400
600
800
1000
100
18
3
1000
20
40
- 55 to + 175
UNIT
V
V
V
V
V
A
A
A
W
mJ
A
2
s
°C
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Junction ambient
TEST CONDITION
Lead length l = 10 mm, T
L
= constant
On PC board with spacing 25 mm
SYMBOL
R
thJA
R
thJA
VALUE
25
70
UNIT
K/W
K/W
Document Number: 86051
Rev. 1.7, 25-Aug-10
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
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BYW86相似产品对比

BYW86 BYW82_10 BYW83
描述 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 - 不含铅
包装说明 HERMETIC SEALED, SOD-64, 2 PIN - HERMETIC SEALED, SOD-64, 2 PIN
针数 2 - 2
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
应用 GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-LALF-W2 - O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 100 A - 100 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 2 - 2
最大输出电流 3 A - 3 A
封装主体材料 GLASS - GLASS
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V - 400 V
最大反向恢复时间 6 µs - 6 µs
表面贴装 NO - NO
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL
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