500 ns A/D Converter with S/H Function and Input Multiplexer
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大模拟输入电压 | 5.1 V |
| 最小模拟输入电压 | -0.1 V |
| 最长转换时间 | 0.56 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 26.075 mm |
| 最大线性误差 (EL) | 0.1953% |
| 模拟输入通道数量 | 1 |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出位码 | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, 8 BITS |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 采样速率 | 1.5 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| ADC08061BIN | ADC08061_09 | ADC08062BIN | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 500 ns A/D Converter with S/H Function and Input Multiplexer | 500 ns A/D Converter with S/H Function and Input Multiplexer | 500 ns A/D Converter with S/H Function and Input Multiplexer |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 | - | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 最大模拟输入电压 | 5.1 V | - | 5.1 V |
| 最小模拟输入电压 | -0.1 V | - | -0.1 V |
| 最长转换时间 | 0.56 µs | - | 0.56 µs |
| 转换器类型 | ADC, FLASH METHOD | - | ADC, FLASH METHOD |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T20 | - | R-XDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 26.075 mm | - | 26.075 mm |
| 最大线性误差 (EL) | 0.1953% | - | 0.1953% |
| 模拟输入通道数量 | 1 | - | 2 |
| 位数 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 20 | - | 20 |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
| 输出位码 | BINARY | - | BINARY |
| 输出格式 | PARALLEL, 8 BITS | - | PARALLEL, 8 BITS |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP | - | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | - | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | - | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 采样速率 | 1.5 MHz | - | 1.5 MHz |
| 采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE | - | SAMPLE |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
| 标称供电电压 | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
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