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3N65L-TN3-R

产品描述3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小401KB,共8页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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3N65L-TN3-R概述

3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

3N65L-TN3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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