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6N65G-TA3-T

产品描述6.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小285KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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6N65G-TA3-T概述

6.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

6N65G-TA3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)440 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.2 A
最大漏极电流 (ID)6.2 A
最大漏源导通电阻1.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)25 pF
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)24.8 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)670 ns
最大开启时间(吨)190 ns
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