1N4002G: 产品描述SIGNAL DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小750KB，共2页; 制造商ETC1

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1N4002G概述

SIGNAL DIODE

信号二极管

1N4002G规格参数

参数名称	属性值
状态	ACTIVE
二极管类型	SIGNAL DIODE

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1N4001G THRU 1N4007G

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts

GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER

Forward Current - 1.0 Ampere

FEATURES

●

Glass Passivated Die Construction

●

The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

●

Construction utilizes void-free

molded plastic technique

●

Low reverse leakage

●

High forward surge current capability

●

High temperature soldering guaranteed:

250 C/10 seconds,0.375

”

(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

DO-41

1.0 (25.4)

MIN.

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

DIA.

0.205 (5.2)

0.160(4.1)

MECHANICAL DATA

Case

: JEDEC DO-41 molded plastic body

Terminals

: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity

: Color band denotes cathode end

Mounting Position

: Any

Weight

:0.012 ounce, 0.33 grams

1.0 (25.4)

MIN.

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

Characteristic

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

0.375”(9.5mm) lead length at T

=75 C

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A

Maximum DC reverse current

=25 C

at rated DC blocking voltage

=100 C

Typical junction capacitance (NOTE 1)

Typical thermal resistance (NOTE 2)

Operating junction and storage temperature range

SYMBOLS

4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G

UNITS

µA

RRM

RMS

(AV)

FSM

STG

100

200

140

200

400

280

400

1.0

30.0

1.0

5.0

50.0

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

8.0

100

-65 to +175

K/W

Note:1.Measured

at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

1N4002G相似产品对比

	1N4002G	1N4007G	1N4006G	1N4005G	1N4003G	1N4004G	1N4001G
描述	SIGNAL DIODE	1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	SILICON, SIGNAL DIODE	1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	SIGNAL DIODE	1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态	ACTIVE	ACTIVE	-	ACTIVE	ACTIVE	DISCONTINUED	ACTIVE
二极管类型	SIGNAL DIODE	信号二极管	-	SIGNAL DIODE	信号二极管	信号二极管	信号二极管
端子数量	-	2	-	2	-	2	2
元件数量	-	1	-	1	-	1	1
加工封装描述	-	塑料 PACKAGE-2	-	GREEN, PLASTIC PACKAGE-2	-	塑料 PACKAGE-2	塑料, DO-41, 2 PIN
包装形状	-	圆	-	ROUND	-	圆	圆
包装尺寸	-	LONG FORM	-	LONG FORM	-	LONG FORM	LONG FORM
端子形式	-	线	-	WIRE	-	线	线
端子位置	-	AXIAL	-	AXIAL	-	AXIAL	AXIAL
包装材料	-	塑料/环氧树脂	-	PLASTIC/EPOXY	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	-	单一的	-	SINGLE	-	单一的	单一的
壳体连接	-	隔离	-	ISOLATED	-	隔离	隔离
二极管元件材料	-	硅	-	SILICON	-	硅	硅
最大重复峰值反向电压	-	1000 V	-	600 V	-	400 V	50 V
最大平均正向电流	-	1 A	-	1 A	-	1 A	1 A

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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