1N3611: 产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小104KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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1N3611概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1N3611规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	E-XALF-W2
针数	2
制造商包装代码	GPR-1A
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	E-XALF-W2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	300 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向恢复时间	2 µs
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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1N3611 1N3613

1N3612 1N3614

1N3957

GLASS PASSIVATED

GENERAL PURPOSE

SILICON RECTIFIERS

1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLTS

Central

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3611 thru

1N3614, and 1N3957 are hermetically sealed,

glass passivated, general purpose silicon rectifiers

ideal for commercial, military, automotive and

entertainment applications requiring high reliability

and failure free performance.

MARKING: FULL PART NUMBER

GPR-1A CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL 1N3611

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TA=100°C)

Peak Forward Surge Current (tp=8.3ms)

Operating and Storage

Junction Temperature

VRRM

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

200

140

1N3612 1N3613 1N3614 1N3957

400

280

600

420

1.0

-65 to +175

800

560

1000

700

UNITS

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

trr

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TA=150°C

IF=1.0A

VR=4.0V, f=1.0MHz

IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A

TYP

MAX

5.0

200

1.1

UNITS

μA

2.0

μs

R0 (19-November 2007)

1N3611相似产品对比

	1N3611	1N3957	1N3614	1N3613	1N3612
描述	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	E-XALF-W2	E-XALF-W2	E-XALF-W2	GPR-1A, 2 PIN	E-XALF-W2
针数	2	2	2	2	2
制造商包装代码	GPR-1A	GPR-1A	GPR-1A	GPR-1A	GPR-1A
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
JESD-30 代码	E-XALF-W2	E-XALF-W2	E-XALF-W2	E-XALF-W2	E-XALF-W2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
最高工作温度	300 °C	200 °C	300 °C	300 °C	300 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V	1000 V	800 V	600 V	400 V
最大反向恢复时间	2 µs	2 µs	2 µs	2 µs	2 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
Is Samacsys	N	N	N	-	-
Base Number Matches	1	1	1	-	-
是否无铅	-	含铅	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	-	不符合	-	不符合	不符合
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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