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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N3613
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1N3613

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小104KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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1N3613概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1N3613规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明GPR-1A, 2 PIN
针数2
制造商包装代码GPR-1A
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码E-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度300 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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1N3611 1N3613
1N3612 1N3614
1N3957
GLASS PASSIVATED
GENERAL PURPOSE
SILICON RECTIFIERS
1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLTS
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3611 thru
1N3614, and 1N3957 are hermetically sealed,
glass passivated, general purpose silicon rectifiers
ideal for commercial, military, automotive and
entertainment applications requiring high reliability
and failure free performance.
MARKING: FULL PART NUMBER
GPR-1A CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL 1N3611
Peak Repetitive Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TA=100°C)
Peak Forward Surge Current (tp=8.3ms)
Operating and Storage
Junction Temperature
VRRM
VR
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
200
200
140
1N3612 1N3613 1N3614 1N3957
400
400
280
600
600
420
1.0
50
-65 to +175
800
800
560
1000
1000
700
UNITS
V
V
V
A
A
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IR
IR
VF
CJ
trr
VR=Rated VRRM
VR=Rated VRRM, TA=150°C
IF=1.0A
VR=4.0V, f=1.0MHz
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
TYP
MAX
5.0
200
1.1
UNITS
μA
μA
V
pF
25
2.0
μs
R0 (19-November 2007)

1N3613相似产品对比

1N3613 1N3957 1N3614 1N3612 1N3611
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 GPR-1A, 2 PIN E-XALF-W2 E-XALF-W2 E-XALF-W2 E-XALF-W2
针数 2 2 2 2 2
制造商包装代码 GPR-1A GPR-1A GPR-1A GPR-1A GPR-1A
Reach Compliance Code _compli not_compliant compliant _compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 E-XALF-W2 E-XALF-W2 E-XALF-W2 E-XALF-W2 E-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 300 °C 200 °C 300 °C 300 °C 300 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 1000 V 800 V 400 V 200 V
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
Is Samacsys - N N - N
Base Number Matches - 1 1 - 1

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