电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4004G

产品描述1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小179KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N4004G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N4004G - - 点击查看 点击购买

1N4004G概述

1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 400 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4004G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大2 us
最大重复峰值反向电压400 V
最大平均正向电流1 A

文档预览

下载PDF文档
1N4001G - 1N4007G
1.0 AMP. Glass Passivated Rectifiers
DO-41
Features
Glass passivated chip junction.
High efficiency, Low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss
Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Polarity: Color band denotes cathode
High temperature soldering guaranteed:
o
260 C /10 seconds/.375”,(9.5mm) lead lengths
at 5 lbs.,(2.3kg) tension
Weight: 0.35 gram
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current .375”(9.5mm) Lead Length
@T
A
= 75
o
C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@1.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25
o
C
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=125
o
C
Typical Junction Capacitance ( Note 1 )
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
Symbol
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G
Units
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
30
1.0
5.0
100
10
A
V
uA
uA
pF
o
C/W
o
C
Cj
R
θJA
T
J
,T
STG
1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.
2. Mount on Cu-Pad Size 5mm x 5mm on P.C.B.
80
- 65 to + 150
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

1N4004G相似产品对比

1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4003G 1N4002G 1N4001G
描述 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SILICON, SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态 DISCONTINUED ACTIVE - ACTIVE ACTIVE ACTIVE
二极管类型 信号二极管 SIGNAL DIODE - 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1179  2470  201  1298  226  24  50  5  27  36 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved