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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHLU024
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SIHLU024

产品描述14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小455KB，共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHLU024概述

14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

14 A, 60 V, 0.1 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

SIHLU024规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）91 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)56 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 5.0 V
18
4.5
12
Single
D
FEATURES
60
0.10
•
•
•
•
•
•
•
•
Dynamic dV/dt rating
Surface mount (IRLR024, SiHLR024)
Straight lead (IRLU024, SiHLU024)
Available in tape and reel
Available
Logic-level gate drive
R
DS(on)
specified at V
GS
= 4 V and 5 V
Fast switching
Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
DESCRIPTION
G
G
S
G
D S
S
N-Channel MOSFET
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRLU, SiHLU series) is for through-hole
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W
are possible in typical surface mount applications.
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
DPAK (TO-252)
-
IRLR024PbF
SiHLR024-E3
DPAK (TO-252)
SiHLR024TRL-GE3
-
-
DPAK (TO-252)
SiHLR024TR-GE3
IRLR024TRPbF
a
SiHLR024T-E3
a
IPAK (TO-251)
SiHLU024-GE3
IRLU024PbF
SiHLU024-E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
a
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak
Temperature)
d
for 10 s
Mount)
e
Mount)
e
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
Single Pulse Avalanche Energy
b
V
GS
at 5.0 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
60
± 10
14
9.2
56
0.33
0.020
53
42
2.5
4.5
-55 to +150
260
W/°C
mJ
W
V/ns
°C
A
UNIT
V
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 25 V, starting T
J
= 25 °C, L = 541 μH, R
g
= 25
,
I
AS
= 14 A (see fig. 12).
c. I
SD
17 A, dI/dt
140 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
S14-1677-Rev. E, 18-Aug-14
Document Number: 91322
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 2 2 2
表面贴装 NO YES YES YES YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 符合 不符合 -
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) - Vishay(威世) -
零件包装代码 TO-251 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 -
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -
针数 3 3 3 3 3 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE -
雪崩能效等级（Eas） 91 mJ 91 mJ 91 mJ 91 mJ 91 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A 14 A 14 A 14 A 14 A -
最大漏极电流 (ID) 14 A 14 A 14 A 14 A 14 A -
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.1 Ω 0.1 Ω 0.1 Ω 0.1 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-251 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
JESD-609代码 e0 e3 e0 e3 e0 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度（摄氏度） 240 260 240 260 240 -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A 56 A 56 A 56 A 56 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40 30 40 30 -

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