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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHFU214
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SIHFU214

产品描述2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小854KB，共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHFU214概述

2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

SIHFU214规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-251AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）190 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.2 A
最大漏极电流 (ID)2.2 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8.8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 10 V
8.2
1.8
4.5
Single
D
FEATURES
250
2.0
•
•
•
•
•
•
•
•
Dynamic dV/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Surface Mount (IRFR214, SiHFR214)
Straight Lead (IRFU214, SiHFU214)
Available in Tape and Reel
Fast Switching
Ease of Paralleling
Material categorization: For definitions of
compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
DESCRIPTION
G
G
S
G
D S
S
N-Channel MOSFET
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W
are possible in typical surface mount applications.
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
DPAK (TO-252)
SiHFR214-GE3
IRFR214PbF
SiHFR214-E3
DPAK (TO-252)
SiHFR214TRL-GE3
IRFR214TRLPbF
a
SiHFR214TL-E3
a
DPAK (TO-252)
SiHFR214TR-GE3
IRFR214TRPbF
a
SiHFR214T-E3
a
DPAK (TO-252)
SiHFR214TRR-GE3
-
-
IPAK (TO-251)
SiHFU214-GE3
IRFU214PbF
SiHFU214-E3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain
Current
a
Mount)
e
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
for 10 s
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
250
± 20
2.2
1.4
8.8
0.20
0.020
190
2.2
2.5
25
2.5
4.8
- 55 to + 150
260
W/°C
mJ
A
mJ
W
W
V/ns
°C
A
UNIT
V
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB
Single Pulse Avalanche Energy
b
Repetitive Avalanche Current
a
Repetitive Avalanche
Energy
a
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)
e
Peak Diode Recovery
dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
d
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 50 V, Starting T
J
= 25 °C, L = 62 mH, R
g
= 25
,
I
AS
= 2.2 A (see fig. 12).
c. I
SD
2.2 A, dI/dt
65 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
S13-0171-Rev. E, 04-Feb-13
Document Number: 91269
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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描述 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 2.2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 不符合 符合 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 ,
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W
表面贴装 NO YES YES YES YES YES YES YES NO YES
是否无铅 含铅 - 含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 -
零件包装代码 TO-251AA - TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-251AA -
针数 3 - 3 3 3 3 3 3 3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 AVALANCHE RATED - AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED -
雪崩能效等级（Eas） 190 mJ - 190 mJ 190 mJ 190 mJ 190 mJ 190 mJ 190 mJ 190 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN -
最小漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V 250 V 250 V 250 V 250 V 250 V 250 V -
最大漏极电流 (ID) 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A 2.2 A -
最大漏源导通电阻 2 Ω 2 Ω 2 Ω 2 Ω 2 Ω 2 Ω 2 Ω 2 Ω 2 Ω -
JEDEC-95代码 TO-251AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-251AA -
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e3 e0 e3 e3 e0 e3 -
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 3 2 2 2 2 2 2 2 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE -
峰值回流温度（摄氏度） 240 NOT SPECIFIED 240 260 240 260 260 240 260 -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 8.8 A - 8.8 A 8.8 A 8.8 A 8.8 A 8.8 A 8.8 A 8.8 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED 30 40 30 40 40 30 40 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -

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