Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> SIHFR9120T-E3

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SIHFR9120T-E3: 产品描述5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小4MB，共7页; 制造商Kersemi Electronic; 官网地址http://www.kersemi.com

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SIHFR9120T-E3概述

5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

SIHFR9120T-E3规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
最小击穿电压	100 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	SINGLE
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN
元件数量	1
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
通道类型	P-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	5.6 A
额定雪崩能量	210 mJ
最大漏极导通电阻	0.6000 ohm
最大漏电流脉冲	22 A

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IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120

PRODUCT SUMMARY

(V)

DS(on)

(Ω)

(Max.) (nC)

(nC)

Configuration

- 100

= - 10 V

3.0

9.0

Single

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

0.60

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR9120/SiHFR9120)

• Straight Lead (IRFU9120/SiHFU9120)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

Available

RoHS*

COMPLIANT

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

P-Channel MOSFET

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free

SnPb

Note

a. See device orientation.

DPAK (TO-252)

IRFR9120PbF

SiHFR9120-E3

IRFR9120

SiHFR9120

DPAK (TO-252)

IRFR9120TRPbF

SiHFR9120T-E3

IRFR9120TR

SiHFR9120T

DPAK (TO-252)

IRFR9120TRLPbF

SiHFR9120TL-E3

IRFR9120TRL

SiHFR9120TL

IPAK (TO-251)

IRFU9120PbF

SiHFU9120-E3

IRFU9120PbF

SiHFU9120

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Linear Derating Factor

Linear Derating Factor (PCB Mount)

Single Pulse Avalanche Energy

Repetitive Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)

Peak Diode Recovery dV/dt

= 25 °C

dV/dt

at - 10 V

= 25 °C

= 100 °C

SYMBOL

LIMIT

- 100

± 20

- 5.6

- 3.6

- 22

0.33

0.020

210

- 5.6

4.2

2.5

- 5.5

W/°C

V/ns

UNIT

www.kersmei.com

SIHFR9120T-E3相似产品对比

	SIHFR9120T-E3	IRFR9120TR	IRFR9120TRL	IRFR9120TRLPBF	IRFR9120TRPBF	SIHFR9120T	SIHFR9120TL	SIHFR9120TL-E3
描述	5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
最小击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
通道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	5.6 A	5.6 A	5.6 A	5.6 A	5.6 A	5.6 A	5.6 A	5.6 A
额定雪崩能量	210 mJ	210 mJ	210 mJ	210 mJ	210 mJ	210 mJ	210 mJ	210 mJ
最大漏极导通电阻	0.6000 ohm	0.6000 ohm	0.6000 ohm	0.6000 ohm	0.6000 ohm	0.6000 ohm	0.6000 ohm	0.6000 ohm
最大漏电流脉冲	22 A	22 A	22 A	22 A	22 A	22 A	22 A	22 A

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