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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> SIHFR9120T
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SIHFR9120T

产品描述5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小4MB，共7页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
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SIHFR9120T概述

5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

SIHFR9120T规格参数

参数名称属性值
端子数量2
最小击穿电压100 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
通道类型P-CHANNEL
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流5.6 A
额定雪崩能量210 mJ
最大漏极导通电阻0.6000 ohm
最大漏电流脉冲22 A

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IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
(Ω)
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
- 100
V
GS
= - 10 V
18
3.0
9.0
Single
S
FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
0.60
• Repetitive Avalanche Rated
• Surface Mount (IRFR9120/SiHFR9120)
• Straight Lead (IRFU9120/SiHFU9120)
• Available in Tape and Reel
• P-Channel
• Fast Switching
• Lead (Pb)-free Available
Available
RoHS*
COMPLIANT
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
DESCRIPTION
G
D
P-Channel MOSFET
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effictiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W
are possible in typical surcace mount applications.
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free
SnPb
Note
a. See device orientation.
DPAK (TO-252)
IRFR9120PbF
SiHFR9120-E3
IRFR9120
SiHFR9120
DPAK (TO-252)
IRFR9120TRPbF
a
SiHFR9120T-E3
a
IRFR9120TR
a
SiHFR9120T
a
DPAK (TO-252)
IRFR9120TRLPbF
a
SiHFR9120TL-E3
a
IRFR9120TRL
a
SiHFR9120TL
a
IPAK (TO-251)
IRFU9120PbF
SiHFU9120-E3
IRFU9120PbF
SiHFU9120
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
C
= 25 °C, unless otherwise noted
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
a
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB Mount)
e
Single Pulse Avalanche Energy
b
Repetitive Avalanche Current
a
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)
e
Peak Diode Recovery dV/dt
c
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dV/dt
V
GS
at - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
- 100
± 20
- 5.6
- 3.6
- 22
0.33
0.020
210
- 5.6
4.2
42
2.5
- 5.5
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
A
UNIT
V
www.kersmei.com
1

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描述 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
最小击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
通道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流 5.6 A 5.6 A 5.6 A 5.6 A 5.6 A 5.6 A 5.6 A 5.6 A
额定雪崩能量 210 mJ 210 mJ 210 mJ 210 mJ 210 mJ 210 mJ 210 mJ 210 mJ
最大漏极导通电阻 0.6000 ohm 0.6000 ohm 0.6000 ohm 0.6000 ohm 0.6000 ohm 0.6000 ohm 0.6000 ohm 0.6000 ohm
最大漏电流脉冲 22 A 22 A 22 A 22 A 22 A 22 A 22 A 22 A

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