SIHFR430ATLA,SIHFR430ATLA pdf中文资料,SIHFR430ATLA引脚图,SIHFR430ATLA电路-Datasheet-电子工程世界

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SIHFR430ATLA: 产品描述5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小3MB，共7页; 制造商Kersemi Electronic; 官网地址http://www.kersemi.com

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SIHFR430ATLA概述

5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

5 A, 500 V, 1.7 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

SIHFR430ATLA规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
最小击穿电压	500 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	SINGLE
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN
元件数量	1
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
通道类型	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	5 A
额定雪崩能量	130 mJ
最大漏极导通电阻	1.7 ohm
最大漏电流脉冲	20 A

SIHFR430ATLA相似产品对比

	SIHFR430ATLA	IRFR430APBF	IRFR430ATRA	IRFR430ATRRA	IRFR430ATRRPBFA	IRFU430A	SIHFR430AT-E3A	SIHFR430ATL-E3A
描述	5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA	5 A, 500 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
最小击穿电压	500 V	500 V	500 V	500 V	500 V	500 V	500 V	500 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
通道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A	5 A
额定雪崩能量	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ
最大漏极导通电阻	1.7 ohm	1.7 ohm	1.7 ohm	1.7 ohm	1.7 ohm	1.7 ohm	1.7 ohm	1.7 ohm
最大漏电流脉冲	20 A	20 A	20 A	20 A	20 A	20 A	20 A	20 A

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